[20a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-141-3] Ba添加によるSiC MOSFET特性向上の起源の検討

藤田 栄悟¹、〇細井 卓治¹、染谷 満²、畠山 哲夫²、原田 信介²、矢野 裕司³、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.産総研、3.筑波大)

キーワード：SiC、MOSFET、移動度