[20a-146-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-146-11] Effect of underlying GaN/GaInN superlattice on the performance of green LEDs

〇(M1)Seiji Ishimoto¹, Dong-Pyo Han¹, Kengo Yamamoto¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Resarch Center, Nagoya Univ.)

Keywords:LED, long wavelength

GaN系長波長LEDの発光効率は活性層内のピエゾ電界により大きく低下する。本研究では、下地GaN/GaInN超格子による緩和および活性層の歪の低減をねらい、緑色LEDの発光特性の改善を試みた。超格子周期数を増やしていくと期待とは異なり、PL強度が低下するという結果が得られた。