[20a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-146-11] 下地GaN/GaInN超格子による緑色LEDの発光特性の変化

〇(M1)石本 聖治¹、Han Dong-Pyo¹、山本 賢吾¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：LED、長波長

GaN系長波長LEDの発光効率は活性層内のピエゾ電界により大きく低下する。本研究では、下地GaN/GaInN超格子による緩和および活性層の歪の低減をねらい、緑色LEDの発光特性の改善を試みた。超格子周期数を増やしていくと期待とは異なり、PL強度が低下するという結果が得られた。