[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20a-222-12] 分子膜ギャップ型原子スイッチを用いた確率動作のメカニズム解明

〇有馬 知里¹、鶴岡 徹²、長谷川 剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

キーワード：抵抗変化メモリ