[20a-234A-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-234A-9] 高純度ZnO中のSRH型非輻射再結合中心の起源と捕獲断面積

〇秩父 重英¹、小島 一信¹、小池 一歩²、矢野 満明²、權田 俊一³、石橋 章司⁴、上殿 明良⁵ (1.東北大多元研、2.大工大工、3.阪大産研、4.産総研CD-FMat、5.筑波大数物)

キーワード：酸化亜鉛、時間分解フォトルミネッセンス、陽電子消滅

点欠陥はデバイス特性を制限している場合が多い。ZnOの場合、デバイス研究の比較的古い段階から格子整合基板が存在したため、Zn空孔(V_Zn)等の点欠陥が非輻射再結合に及ぼす影響に対する認識を高く持つことができた。著者らは、時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)測定と陽電子消滅(PAS)測定を組み合わせ、ZnOの室温におけるバンド端(NBE)発光の非輻射再結合寿命が、V_Zn濃度を反映するSパラメータの増加に従い減少することから、SRH型非輻射再結合中心(NRC)の起源がV_Zn複合体である事を提唱してきた。本講演では、ZnO中のNRCの起源の詳細と少数キャリア捕獲断面積について議論する。