[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-331-4] GaN基板上MOVPE p-GaNの炭素関連トラップ

〇(M2)小木曽 達也¹、吉田 光¹、徳田 豊¹、成田 哲生²、冨田 一義²、加地 徹³ (1.愛知工大、2.豊田中央研究所、3.名古屋大学)

キーワード：DLTS、p-GaN

低周波容量DLTS測定により、p-GaN層中のトラップ評価を行った。観測されたのは100 Kから550 Kの温度範囲でH_a (0.29 eV)、H_b (0.33 eV)、H_c (0.46 eV)、H_d (0.88 eV)、H_e (1.0 eV)、H_f (1.3 eV)正孔トラップである。炭素濃度1.3x10¹⁶ cm^-3 (HC)と3.4x10¹⁵ cm^-3 (LC)の試料でのDLTS測定より、H_a、H_dに炭素濃度依存が観測された。よって、H_a、H_dは炭素関連欠陥であることが示唆される。