[20a-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20a-331-7] n 型GaN 中の正孔トラップ密度の定量評価に向けたサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価

〇鐘ヶ江 一孝¹、成田 哲生²、冨田 一義²、加地 徹³、堀田 昌宏¹、木本 恒暢¹、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中央研究所、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)

キーワード：窒化ガリウム、正孔トラップ、等温過渡容量分光法

我々は、H1トラップ密度の正確・簡易な評価手法の確立を目指し、GaN SBDに対して光励起ICTS測定を行ってきた。H1トラップ密度を求めるために必要な光照射中の正孔占有率は、光励起ICTS法から実験的評価が困難であった。本研究では、GaN PNDに対する電流注入・光励起ICTS測定の比較から正孔占有率を評価し、任意の試料・測定条件に対する正孔占有率の計算を可能にする電子と正孔に対する光イオン化断面積比を求めることに成功した。