[20a-438-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20a-438-10] ガス滞在時間に依存した成膜前駆体の生成に基づくアモルファスカーボン膜中のsp²炭素結合の制御

〇杉浦 啓嗣¹、大橋 靖之¹、賈 凌雲¹、近藤 博基¹、石川 健治¹、堤 隆嘉¹、竹田 圭吾²、関根 誠¹、堀 勝³ (1.名大院工、2.名城大、3.名大未来社会創造機構)

キーワード：アモルファスカーボン、プラズマ計測、プラズマ成膜

プラズマCVD法によるアモルファスカーボン膜の成膜メカニズムを明らかにするため、ガス滞在時間を変化させた際のプラズマ中のCH₃密度を四重極型質量分析器を用いて出現質量分析を行い計測した。滞在時間が6msのときにCH₃密度は最大となり、X線吸収分光法により定量化したsp²炭素結合の含有量は、CH₃密度が最大となる時に最小値(46%)となった。これらの結果よりアモルファスカーボン膜のsp²炭素結合の含有量は気相中のCH₃密度に相関があることを明らかにした。講演では、CH₃による膜中のsp²とsp³炭素比の変化及び、ガス滞在時間によるCH₃の形成メカニズムについて考察する。