[20a-438-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20a-438-2] GaN結晶のスパッタリング成長方式におけるプラズマ-基板間距離の効果

〇谷出 敦^1,3、河野 元宏^1,3、高辻 茂¹、堀越 章^1,3、中村 昭平¹、木瀬 一夫¹、灘原 壮一¹、西川 正純²、江部 明憲²、石川 健治³、堀 勝³ (1.SCREEN、2.イー・エム・ディー、3.名大院工)

キーワード：ガリウムナイトライド、成膜、スパッタリング

GaNデバイスの実用化には、高結晶性と生産コスト低減を両立する成膜手法が求められている. その実現のため、ガリウムと窒素励起種の供給を個別に制御しうる新方式のスパッタリング方式を提案している. 研究開発の中で、プラズマと基板の距離を近づけることにより、結晶性と平坦性の両者を向上しうることが判明したため、当結果とその考察について報告を行う.