2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20a-438-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年9月20日(木) 09:00 〜 12:15 438 (3Fラウンジ)

布村 正太(産総研)

10:00 〜 10:15

[20a-438-5] チタンターゲットを用いた高電力パルススパッタリング放電におけるイオンの生成過程

〇(M2)伊賀 一憲1、太田 貴之1 (1.名城大理工)

キーワード:ハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング、エネルギー分解質量分析法

高イオン化率と高エネルギーイオンの生成が可能な高電力パルススパッタリングにおいて、エネルギー分解質量分析法を用いてAr+とTi+のエネルギー分布を計測し,スパッタ粒子とガス粒子のイオン化過程を考察した。パルス電圧のパルス幅を増加させると、Ti+のエネルギー分布の概形は変わらず総イオン数が増加した。その一方で、Ar+は高エネルギー成分のピークが現れ,反跳Arの生成が顕著になることが示唆された。