[20a-PA4-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20a-PA4-11] 高純度FeおよびSi単体ターゲットを用いた同時スパッタリング法によるbeta-FeSi₂膜の作製

〇吉武 剛¹、内田 聖也¹、田中 佑樹¹、野上 智宏¹、吉田 智博² (1.九州大学総理工、2.福岡県工技セ)

キーワード：シリサイド半導体、鉄シリサイド、スパッタリング

高純度単体ターゲットを用いた同時スパッタリング堆積を行い、Si (111)基板上にbeta-FeSi₂膜をエピタキシャル成長させた。電気伝導率は組成比の変化に対して敏感に変化し，高純度化の効果を明確に確認できなかった．より厳密な組成比の最適化が必要である．