[20a-PA4-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20a-PA4-9] Si(111)基板上CaSi₂薄膜の構造評価

〇伊藤 健治¹、大砂 哲¹、末益 崇²、中野 秀之¹ (1.豊田中研、2.筑波大)

キーワード：カルシウムシリサイド、反応堆積成長法、積層構造

Si(111)基板上にRDE法を用いてCaSi₂を堆積し、その積層構造をSTEMにより観察した。X線回折ではtr6構造に由来するピークのみが観測されたが、STEMではこれまで報告されていない2H構造が混在することが分かった。また膜厚20nm以上ではCaSiが表面側に観察されるためCaSi₂単一相を得るためには膜厚制御が必要である。