2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[20a-PB8-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

2018年9月20日(木) 09:30 〜 11:30 PB (白鳥ホール)

09:30 〜 11:30

[20a-PB8-4] Pb(Zr,Ti)O3圧電薄膜の正圧電特性の温度依存性に関する研究

金光 勇弥1、譚 ゴオン1、梅垣 俊仁1、神野 伊策1 (1.神戸大)

キーワード:圧電、薄膜、PZT

近年,PZT圧電薄膜を用いたMEMSデバイスに関する研究が進められている.圧電MEMSデバイスの実用化において,使用環境による圧電薄膜の圧電特性への影響について検討する必要がある.本研究では, RFマグネトロンスパッタ法を用いてSi基板上に成膜したPZT圧電薄膜の温度を変化させた際の圧電定数および比誘電率を測定することにより,その温度依存性に関する評価を行った.