[20a-PB8-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

[20a-PB8-4] Pb(Zr,Ti)O₃圧電薄膜の正圧電特性の温度依存性に関する研究

〇金光 勇弥¹、譚 ゴオン¹、梅垣 俊仁¹、神野 伊策¹ (1.神戸大)

キーワード：圧電、薄膜、PZT

近年，PZT圧電薄膜を用いたMEMSデバイスに関する研究が進められている．圧電MEMSデバイスの実用化において，使用環境による圧電薄膜の圧電特性への影響について検討する必要がある．本研究では， RFマグネトロンスパッタ法を用いてSi基板上に成膜したPZT圧電薄膜の温度を変化させた際の圧電定数および比誘電率を測定することにより，その温度依存性に関する評価を行った．