[20p-131-1~8] 【CS.9】 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）, 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術, 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術, 10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

[20p-131-2] 電圧磁化反転を用いた乱数発生の試み

〇福島 章雄¹、山本 竜也¹、野崎 隆行¹、薬師寺 啓¹、久保田 均¹、湯浅 新治¹ (1.産総研・スピン)

キーワード：乱数、乱数発生器、電圧トルク磁化反転

我々は磁気抵抗素子の確率的な振る舞いを用いた乱数発生器（スピンダイス）の開発を行っている。これまでのスピンダイスはスピントルク磁化反転の確率的な振る舞いを用いたものであり、スピントルクMRAMとの親和性が高いことを利点としていたが、近年さらに低消費電力である電圧磁化反転を用いたMRAMに注目が集まっている。そこで、電圧トルク磁化反転を用い、確率的な磁化反転を用いることで、乱数生成が可能であるかを確かめた。