[20p-211A-1~18] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-211A-9] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法による高密度InGaN/GaNナノ構造の作製

〇大江 優輝¹、生江 祐介¹、松岡 明裕¹、川崎 祐生¹、伊藤 大智¹、森谷 祐太¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大・理工、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：ナノ構造、GaN、エッチング

位置と形状が制御された窒化物半導体ナノ構造は、光取り出し効率の向上や歪緩和効果、量子効果などによる光電子デバイスの高機能化、高性能化をもたらす技術として期待される。我々は低圧水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応に着目し、低損傷の極微細加工が可能な水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法の研究を行っている。本研究では厚さ10nmの極薄膜SiO₂を用いてHEATE法による極微細GaN系ナノ構造の高精度・高密度化について検討を行った。