[20p-212B-1~14] 11.4 アナログ応用および関連技術

[20p-212B-4] Si(100)基板上に作製したTiNマイクロ波共振器の特性評価

〇寺井 弘高¹、丘 偉¹ (1.情通機構)

キーワード：窒化物超伝導体、マイクロ波共振器、カイネティックインダクタンス

Si(100)基板上に作製した超伝導TiN薄膜を用いた半波長準平面型共振器を作製・評価した結果、室温成膜した多結晶のTiN薄膜の抵抗率は700µΩcmを越え、磁場侵入長は1200 nmに達した。その結果、共振周波数の大きな下シフトが観測された。一方、800℃の高温成膜したTiN薄膜では抵抗率は4µΩcm以下となり、磁場侵入長も100 nm以下の値が得られた。