[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-221C-10] ベイズ最適化を用いたSiC研削条件の探索

〇(M1)長田 圭一^1,2、角岡 洋介^1,2,3、成田 潔⁴、小泉 晴比古^1,2、沓掛 健太朗⁵、原田 俊太^1,2、田川 美穂^1,2、宇治原 徹^1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.産総研 GaN-OIL、4.ニートレックス、5.名大未来機構)

キーワード：SiC、ベイズ最適化、結晶加工

SiCは次世代パワーデバイス材料として期待されている。SiC基板は、インゴットを切断し、研削、研磨を行うことで製造される。本研究では研削過程に注目している。しかし、研削条件には、研削砥石の種類やその回転速度、SiC基板の回転速度などの多くのパラメータがあり、実験のみで最適化するのは非常に困難である。そこで我々は近年機械学習の一種として注目されているベイズ最適化によるSiC研削の最適条件探索と実験を逐次的に行った。