[20p-222-1~23] 6.2 カーボン系薄膜

[20p-222-22] 真空雰囲気下でのグラファイト状窒化炭素薄膜の電気伝導

〇(B)安田 和史¹、青山 宏明¹、羽渕 仁恵¹、滝川 浩史² (1.岐阜工業高等専門学校、2.豊橋技術科学大学)

キーワード：薄膜、窒化炭素、半導体

グラファイト状窒化炭素（g-C₃N₄）は、エネルギーバンドギャップが約2.7 eV の半導体の性質を持っており、光半導体デバイスとして応用が期待できる。膜の高品質化を目指し真空蒸着法にてg-C₃N₄薄膜の合成を行い、その電気伝導の評価をするため、合成した薄膜上にギャップ型のアルミニウム電極を真空蒸着により形成し、I-V特性、分光感度の測定を行った。測定の結果、暗伝導率はおよそ2×10^-8 S/m となり大気下で合成したg-C₃N₄薄膜に比べ2桁以上大きいことが分かった。