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一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[20p-231B-1~14] 12.2 評価・基礎物性

2018年9月20日(木) 13:15 〜 17:15 231B (231-2)

大戸達彦(阪大)、大塚洋一(阪大)、古川一暁(明星大)

16:15 〜 16:30

[20p-231B-11] ZnO-高誘電体ヘテロ構造における近赤外域表面プラズモン閉じ込めとセンシング性能

〇倉永康博¹、松井裕章¹、池羽田晶文²、Ho Ya-Lun¹、Delaunay Jean-Jacques¹、田畑仁¹ (1.東大院工、2.農研機構)

キーワード：表面プラズモン、近赤外域、酸化物半導体