[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-234A-10] 角度制御型マグネトロンスパッタリング装置を用いた酸化亜鉛薄膜の作製と成膜条件の検討

〇保坂 拓己^1,2、山形 栄人^1,2、大澤 健男²、Sergey Grachev³、Herve Montigaud³、石垣 隆正¹、大橋 直樹² (1.法政大、2.物材機構、3.サンゴバン)

キーワード：酸化亜鉛、薄膜

酸化亜鉛（ZnO）系透明導電膜を利用した材料群の高機能化には、異種材料の積層構造が必要となる。積層薄膜作製においては、スパッタ源の取り付け角度によってスパッタ粒子の入射方向が規定され、薄膜結晶成長に影響することがある。本研究では、ZnO系積層薄膜作製に向けた新たな取組みとして、スパッタ粒子の入射角度と基板-ターゲット間距離に着目して、ZnO薄膜の構造・物性を評価し、成膜条件を検討したので報告する。