[20p-234B-1~17] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[20p-234B-9] シリコンナノワイヤ微小熱電発電デバイスにおける発電性能のワイヤ幅依存性

〇武澤 宏樹¹、姫田 悠矢¹、島 圭佑¹、大和 亮¹、熊田 剛大¹、徐 茂¹、目﨑 航平¹、富田 基裕¹、詹 天卓¹、鎌倉 良成²、松木 武雄^1,3、松川 貴³、渡邉 孝信¹ (1.早大、2.阪大、3.産総研)

キーワード：エナジーハーベスティング、熱電発電デバイス、シリコンナノワイヤ

近年、エナジー・ハーベスティング技術の一環として、シリコンナノワイヤ(Si-NW)を用いた熱電発電の研究が行われている。また、Si-NWの幅が小さいほど熱伝導率が減少することが明らかになっており、熱伝導率が小さいほど大きな温度差が期待されるため、我々の提案するSi-NWを短くするほど熱起電流が増大する熱電デバイスにおいてもSi-NWの幅を小さくすることで発電性能の向上が期待される。今回我々は、幅の異なる試料を作製しその評価を行った。