[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-12] 凹凸AlGaN層導入によるAlGaN/GaN HEMT構造のコンタクト抵抗低減手法におけるドットアレイ状平面パターンのサイズ効果

〇久永 真之佑¹、渡部 拓巳¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東工大)

キーワード：半導体、AlGaN/GaN HEMT