[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20p-331-2] GaN自立基板上pnダイオード逆方向リーク電流の成長条件依存性II

〇宇佐美 茂佳¹、福島 颯太¹、安藤 悠人¹、田中 敦之^2,3、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,4,5 (1.名大院工、2.未来材料・システム研、3.物材研、4.赤﨑記念研究センター、5.VBL)

キーワード：pnダイオード、エミッション顕微鏡、多光子励起顕微鏡

GaN基板上縦型pnダイオードの逆方向リーク電流がホモエピタキシャル成長層の成長条件に大きく依存することを前回報告した．本公演では前回未調査であった転位タイプにまで言及し，リーク発生のメカニズムに一石を投じる．