[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-4] Franz-Keldysh効果による光電流を利用した
GaN p-n接合ダイオードにおけるアバランシェ増倍の温度依存性の測定

〇前田 拓也¹、成田 哲生²、上田 博之²、兼近 将一²、上杉 勉²、加地 徹³、木本 恒暢¹、堀田 昌宏¹、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中央研究所、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)

キーワード：アバランシェ増倍、絶縁破壊、衝突イオン化係数

これまで我々は，GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因したサブバンドギャップの光吸収による光電流を調べ，逆バイアス電圧200 Vまでの範囲で，光電流の電圧・波長依存性がFK効果により定量的に説明できることを報告してきた．また，前回の応物では，絶縁破壊電圧まで電圧掃引して光電流を測定し，測定値とFranz-Keldysh効果による光電流の計算値の比からアバランシェ増倍係数を求められると報告した．本研究では，光電流の温度依存性を測定・解析し，アバランシェ増倍の温度依存性を得たので報告する．
Ref.) T. Maeda et al., Appl. Phys. Lett. 112, 252104 (2018).