[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20p-438-13] プラズマ曝露によりシリコン窒化膜中に形成された欠陥構造の窒素雰囲気アニールに関する検討

〇久山 智弘¹、吉川 侑汰¹、佐藤 好弘¹、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工)

キーワード：プラズマダメージ、マイクロ波アニール、窒化シリコン薄膜

半導体デバイスの微細化に伴い、プラズマ曝露による材料内の設計外の欠陥構造形成（物理的ダメージ）が問題となっている。例えばシリコン窒化膜（SiN膜）では、物理的ダメージにより電荷捕獲放出型欠陥が形成され、トンネル電流が増加することが知られている。今回我々はプラズマ曝露されたSiN膜にマイクロ波照射アニールを施し、電気伝導特性に与える影響を詳細に解析した。実験結果からMWAはSiN膜中の特定の欠陥の回復に有効であると考えられる。