[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [20p-438-14] 等温過渡容量法（ICTS）を用いたSi基板内部のプラズマ誘起潜在欠陥解析手法の提案

〇濱野 誉¹、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工)

キーワード：プラズマ、エッチング、欠陥

半導体デバイスの微細化に伴い、プラズマエッチング時にSi基板表面および内部に形成される欠陥構造がデバイスの挙動、信頼性に影響を及ぼしている。基板内部の潜在欠陥は物理的な深さ方向だけでなく、禁制帯中のエネルギー方向に対しても複雑な分布を有するため、その定量化は非常に難しい。本研究ではキャリアの非平衡特性を捉える手法である等温過渡容量法（ICTS）を適用し、入射イオンエネルギーに依存した過渡現象を観測した。