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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年9月20日(木) 13:45 〜 19:15 438 (3Fラウンジ)

石川健治(名大)、大村光広(東芝メモリ)

17:45 〜 18:00

[20p-438-16] III-V族半導体中へのFの増速拡散メカニズム

〇財前義史¹、深沢正永¹、三成英樹¹ (1.ソニーセミコンダクターソリューションズ株式会社)

キーワード：III-V族半導体