[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20p-438-8] SFx+イオンによるSiO₂およびSiエッチング反応

〇唐橋 一浩¹、伊藤 智子¹、橋本 惇一²、大村 光広²、林 久貴²、浜口 智志¹ (1.阪大院工、2.東芝メモリ株式会社)

キーワード：イオン、エッチングイールド