[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20p-438-9] C₂H_xF_y化合物の電子物性と解離(III)

〇林 俊雄¹、関根 誠¹、石川 健治¹、堀 勝¹ (1.名大工)

キーワード：SiNx エッチング、水素化フロロエタン、計算化学

前回、RIEによる窒化膜のエッチングガスとしてCH₂F₂に代わるC₂H₅F, 1,1-C₂H₄F₂, 1,2-C₂H₄F₂, 及び1,1,2-C₂H₃F₃の電子物性について述べた。一般的性質として、C-C, C-Fの所で解離すること、およびイオン生成に励起解離で起こるion pair formationが重要であることも分かった。
今回は計算化学を用いて1,1,2,2-C2H2F4およびC2HF5化合物の解離過程を調べたのでそれについて述べる。