[20p-CE-1~9] GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

[20p-CE-5] GaN へのMg 添加技術の最近の発展

〇成田 哲生¹、冨田 一義¹、徳田 豊²、小木曽 達也²、五十嵐 信行³、菊田 大悟¹、堀田 昌宏⁴、加地 徹³ (1.豊田中研、2.愛知工大、3.名大IMaSS、4.京大院工)

キーワード：III族窒化物半導体、有機金属気相成長法、深い準位

GaNパワーMOSFETのしきい値電圧制御のためには、p型ボディ層中のMgアクセプタ濃度の精密制御と、作製したp型GaN層に含まれる補償性欠陥の理解と抑制が不可欠である。本講演では、p型GaNのエピタキシャル成長技術の最近の進展と、作製したp型GaN層に含まれる補償性欠陥について概説する。