[20p-CE-1~9] GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学

[20p-CE-6] GaN系絶縁膜制御技術

〇小出 康夫¹、生田目 俊秀¹、色川 芳宏¹、三石 和貴¹ (1.物質・材料研究機構)

キーワード：ワイドギャップ半導体、GaN、絶縁膜

近年p-GaN領域のMOS反転電子層をチャネルとした縦型パワーMOSFETを開発する研究が活発化している。物質・材料研究機構は、文科省事業を通してGaNウェハ結晶やMOS界面およびMOSデバイス構造の評価を進めており、28名の研究者を結集して取り組んでいる。本シンポジウムでは、 GaN系絶縁膜制御技術としてMOSゲート絶縁膜やMOS界面構造、およびGaN自然酸化膜構造を含めた最新研究動向を述べる。