2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[20p-PA2-1~35] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

2018年9月20日(木) 13:30 〜 15:30 PA (イベントホール)

13:30 〜 15:30

[20p-PA2-5] 銅 (I) イソシアニド錯体における発光特性の温度依存性

南山 知花1、髙澤 頼昌1、阪田 知巳1 (1.城西大理)

キーワード:銅(I)錯体、発光

近年、OLET用の発光材料として、安価で埋蔵量の多い銅(I)を用いた錯体の研究が進められている。我々の研究室では、イソシアニドを配位子とするCu-C結合に着目した銅(I)錯体について検討を行っている。本稿では[Cu2Br2(PPh3)2(PDI)2]の発光特性と発光メカニズムについて報告する。