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[20p-PA5-5] 基板入射イオンのエネルギー分布測定用反射電界型エネルギー分析器の開発
キーワード:反射電界型エネルギー分析器、イオンエネルギー分布、マグネトロンスパッタリング
金属添加ZnOターゲットのスパッタ成膜における基板入射イオンエネルギー分布の把握を目的として、今回,マルチグリッド反射電界型エネルギー分析器(RFEA)を製作し,その基本動作特性を調査した.1Pa、10WのRFマグネトロン放電において,正イオンは、時間平均したプラズマの空間電位を反映して,浮遊電極に約20eVのイオンビームとして入射することを確認した.