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△ [21a-135-6] 散乱内電界効果を考慮した1次元半導体の電子輸送解析
キーワード:散乱内電界効果、電子輸送、半導体
GaN などのワイドギャップ半導体は数MV/cm と高い絶縁破壊電界をもつ.印加電界数MV/cm 程度においては,散乱中にキャリアが電界によって加速される,散乱内電界効果が重要な役割を演じる.この効果を考慮可能な輸送方程式として,Barker-Ferry方程式(BF方程式)があり,エネルギー保存則に相当する項をローレンツ関数などに近似して,解かれてきた.本研究では,そのような近似を導入せず,1 次元系に関する定常状態のBF方程式を解くことを試みた.