[21a-141-1~13] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21a-141-13] SiC半導体表面に形成した単一光子源の低温フォトルミネッセンス特性

〇音嶋 俊祐¹、松下 雄一郎²、大島 武³、土方 泰斗¹ (1.埼大、2.東工大、3.量研)

キーワード：単一光子源

最近、800 ℃でドライ酸化したSiC結晶中のSiC/SiO2界面近傍において、高輝度な単一光子源(Single Photon Source：SPS)が形成されることが報告されている。これを表面SPSと呼ぶ。しかし、この表面SPSは室温下ではPhonon side-band (PSB)由来の発光が強く、固有の発光であるZero-phonon line (ZPL)の詳細が明らかにされていない。そこで、今回低温での発光特性について調べたので報告する。