[21a-143-1~11] 【CS.6】 3.11 フォトニック構造・現象, 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

△ [21a-143-3] 転写プリント法によるシリコン導波路上への量子ドット単一光子源の集積

〇(D)勝見 亮太^1,3、太田 泰友²、長田 有登²、田尻 武義²、車 一宏¹、山口 拓人¹、角田 雅弘²、岩本 敏^1,2、秋山 英文³、荒川 泰彦² (1.生産研、2.ナノ量子機構、3.物性研)

キーワード：単一光子、量子ドット、転写プリント

光量子演算のスケールアップに向けて、大規模光回路の作製に適したSiフォトニクスの利用が注目されている。一方、スケーラブルな光量子回路の構築には、量子ドット(QD)に代表される決定論的動作が可能な量子光源の集積が必要となる。しかし、化合物半導体で形成されるQDをSi光回路上にハイブリッド集積する場合、Si-CMOSプロセスとの整合性を担保することは容易ではない。さらには、QDの空間・波長ばらつきにより、所望の光源を所望の位置に集積することは困難である。そこで我々は、これらの課題を解決する手法として、ピック-プレース操作に基づいた転写プリント法の利用を提案している。前回までに、同手法によるGaAs導波路上へのQD単一光子源の集積を実証した。今回、同手法を用いてSi-CMOS光回路上へQD光源を集積し、単一光子発生とその導波路伝搬の観測に成功したので報告する。