[21a-211A-1~11] 3.6 超高速・高強度レーザー

△ [21a-211A-7] 反射配置でのGaAsからの高次高調波発生と伝搬効果の評価

〇夏 沛宇¹、金 昌秀¹、Faming Lu¹、石井 順久¹、金井 輝人¹、秋山 英文¹、板谷 治郎¹ (1.東京大学物性研究所)

キーワード：固体高調波、非線形伝搬効果、半導体

様々な厚みのGaAs基板を用いて透過配置および反射配置での固体高調波発生実験を行い、バンドギャップ(1.4 eV)を越えて5.3 eVに至る高調波発生を行った。その結果、数10 µmの結晶厚の違いに顕著に依存して、スペクトルや結晶方位角依存性に違いが見られた。これは伝搬効果によって電場波形が変調を受ける影響だと理解でき、高調波の発生機構に関する知見を得る上で反射配置の重要性を示すものである。