[21a-221A-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [21a-221A-6] 単層Fe-MgF₂グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの特性評価

〇浅井 佑基¹、瘧師 貴幸¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：単電子トランジスタ、グラニュラー薄膜

単電子トランジスタ(SET)は、優れた消電力性と微細な構造から将来の集積デバイスとして応用が期待されている。SETの単電子島を作製する方法としてグラニュラー薄膜を利用する手法がある。本研究では、異なるFe膜厚を有する単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いて作製したSETの特性評価を通じて、Feナノドットの分散状況がSET特性に及ぼす影響について評価した。