[21a-222-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21a-222-1] 溶液塗布法によるガラス基板へのWO3薄膜の作製と特性評価

〇村上 聡¹、小山 真由子¹、原田 義之¹、小池 一歩¹、矢野 満明¹ (1.大阪工大 ナノ材研)

キーワード：三酸化タングステン、溶液塗布法、酸化物半導体

三酸化タングステン（WO3）は古くから触媒やエレクトロクロミック材料として知られているワイドギャップ酸化物半導体である．これまで我々は，分子線エピタキシー（MBE）法でr面サファイア基板上にc軸配向したmonoclinic構造のWO3エピタキシャル膜を作製し，そのプロトネーション／デプロトネーション効果を調べてきた．本研究では，非真空で薄膜を合成できる溶液塗布法に注目し，WO3薄膜の作製を試みた結果について報告する．