[21a-232-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

△ [21a-232-10] 窒素終端ダイヤモンド中の浅いNVセンターを用いたNMR測定(２)

〇(B)立石 哲也¹、薗田 隆弘¹、河合 空¹、山野 颯¹、Jorge J. Buendia¹、蔭浦 泰資¹、石井 邑¹、永岡 希朗¹、福田 諒介¹、谷井 孝至¹、春山 盛善^2,3、山田 圭介²、小野田 忍²、加田 渉³、花泉 修³、Alastair Stacey⁴、神田 一浩⁵、上村 雅治^5,6、寺地 徳之⁷、磯谷 順一⁸、河野 省三⁹、川原田 洋^1,9 (1.早大理工、2.量研、3.群馬大、4.メルボルン大、5.兵庫県立大、6.SALLC、7.NIMS、8.筑波大、9.材研)

キーワード：NVセンター、NMR、窒素終端

NVセンターによるナノスケールNMR応用に不可欠な浅いNVセンターの負の電荷安定化の方法として、我々は窒素ラジカル暴露によるダイヤモンドの窒素終端化に注目した。我々は過去に水素を4%含む窒素ガスにより窒素終端化したダイヤモンド中の浅いNVセンターで基板表面上の¹H核スピンシグナルを検出した。今回、さらなる電荷状態の安定化を目的として純窒素ガスを用いた窒素終端化と¹H核スピンシグナルを検出できた。