[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [21a-233-1] 外部輸送した水素ラジカルによるSiCl₄還元からのSi作製

〇岡本 裕二^1,2、中村 祐也^1,2、鈴木 義和²、角谷 正友¹ (1.物材機構、2.筑波大)

キーワード：高純度シリコン、水素ラジカル、四塩化ケイ素

高純度シリコンはSiHCl₃を1200℃で水素還元することで製造される。しかし、SiHCl₃の熱分解により副生成物のSiCl₄も生成されてしまう。本研究では、外部供給した水素ラジカルにより低温の水素雰囲気では分解しないSiCl₄を900℃で還元し、Siの作製に取り組んだ。水素ラジカルの濃度増加に伴いSiの生成量が増加したことから、低温でのSiCl₄還元への水素ラジカルの効果が示された。