2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年9月21日(金) 09:00 〜 12:00 233 (233)

野口 隆(琉球大)、佐道 泰造(九大)

10:30 〜 10:45

[21a-233-7] 水晶振動子によるシリコンミニマルCVD製膜過程測定

室井 光子1、〇羽深 等1、三ケ原 孝則2,3、池田 伸一2,3、石田 夕起2,3、原 史朗2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ、3.産総研)

キーワード:ミニマルファブ、製膜過程、観察方法

ミニマル・ファブに用いられるシリコンエピタキシャル製膜プロセスを把握するために排出ガス系に水晶振動子(QCM)を設置した。それにより得られる詳細な内容を報告する。