[21a-234B-1~9] 6.4 薄膜新材料

[21a-234B-1] 四元系窒化物半導体Zn_1-xGe_1-xGa_2xN₂の電子状態計算

〇太田 優一¹ (1.都産技研)

キーワード：窒化物半導体、密度汎関数理論、バンド計算

新規四元系窒化物半導体Zn_1-xGe_1-xGa_2xN₂の電子状態計算を行った。混晶における安定なカチオンの配置を決定し、その時のバンドギャップエネルギーを見積もった。