[21a-234B-1~9] 6.4 薄膜新材料

[21a-234B-3] ダイナミックオーロラPLD法を用いたTiNバッファ層上へのMn₃CuN薄膜作製

〇鈴木 淳平¹、川口 昂彦¹、坂元 尚紀¹、鈴木 久男¹、脇谷 尚樹¹ (1.静大院工)

キーワード：PLD、薄膜

Mn₃CuNは、150 K以下で2000 ppmに及ぶ巨大磁歪を発現する。我々はこれまでに、独自に開発したダイナミックオーロラPLD法を用いてMn₃CuN薄膜の作製に成功している。しかし、酸化物などの形成も見られ、単相薄膜の作製には至っていない。この原因の一つとして、基板中の酸素との反応が考えられる。そこで今回、反応抑制層としてTiNバッファ層を導入し、Mn₃CuN薄膜を作製したので報告する。