[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-331-9] RIE-GaN表面へのAlGaN再成長により作製したAlGaN/GaN HEMTの特性

〇山本 高勇¹、金谷 彗杜¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：GaN、RIE、HEMT

RIE加工したGaN表面にAlGaNを再成長することにより形成したAlGaN/GaN構造の2DEG特性の評価の一環として横型HEMTを作製し、そのDC特性を評価した。その結果、0.5 A/mm以上のドレイン電流が得られるなど、通常の方法で作製したHEMTに遜色のない特性が確認できた。この成果がノーマリオフ動作の縦型HEMTの実現につながった。