[21a-431B-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[21a-431B-7] シリコンゲルマニウム結晶育成におけるつぼ材の検討

仁科 聖弥¹、小川 晃司¹、川上 こゆき¹、〇太子 敏則¹ (1.信大工)

キーワード：シリコンゲルマニウム、るつぼ、キャリア濃度制御

TLZ法やVB法等のるつぼ内で結晶育成において、キャリア濃度を制御したp形シリコンゲルマニウム（Si _xGe _1-x）結晶を得るために適したるつぼ材について、るつぼ材候補となる板材と融液の反応から検討した。