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[21a-432-2] ハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物薄膜におけるイオン照射効果
キーワード:ペロブスカイト太陽電池、イオン照射、欠陥構造
ハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物半導体は、薄膜形成に優れており、優れた集光能力と高いキャリア移動度を持つことから、現在太陽電池材料として現在大きな注目を集めている。近年、ハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物薄膜中に存在する固有の欠陥およびその動的挙動が同化合物の電子物性、光学物性、耐久性および太陽電池特性に与える影響について多くの報告がなされている。今回、我々はハロゲン化鉛ペロブスカイト化合物薄膜への低エネルギーのイオン照射が、同薄膜の構造、光学的性質および電子物性に与える影響について調べた。本講演では、薄膜中での照射イオン種の状態、照射量がペロブスカイト化合物薄膜の結晶性、光学的特性、電荷移動特性および太陽電池特性に与える影響について詳細に解析を行った結果について報告する。