09:15 〜 09:30
[21a-CE-2] Trimmed Gate型TFETにおける超急峻スイッチング特性
キーワード:トンネル電界効果トランジスタ、サブスレッショルド 特性
本研究ではTFET のサブスレッショルド(SS) 特性を改善する新しいデバイス構造「Trimmed Gate (TG) 構造」を提案し、TG構造によるSS特性の改善についてTCADシミュレーションにより調べた。
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術
2018年9月21日(金) 09:00 〜 11:30 CE (センチュリーホール)
太田 裕之(産総研)
09:15 〜 09:30
キーワード:トンネル電界効果トランジスタ、サブスレッショルド 特性