2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[21a-CE-1~10] 13.5 デバイス/集積化技術

2018年9月21日(金) 09:00 〜 11:30 CE (センチュリーホール)

太田 裕之(産総研)

09:15 〜 09:30

[21a-CE-2] Trimmed Gate型TFETにおける超急峻スイッチング特性

浅井 栄大1、森 貴洋1、松川 貴1、服部 淳一1、遠藤 和彦1、福田 浩一1 (1.産総研)

キーワード:トンネル電界効果トランジスタ、サブスレッショルド 特性

本研究ではTFET のサブスレッショルド(SS) 特性を改善する新しいデバイス構造「Trimmed Gate (TG) 構造」を提案し、TG構造によるSS特性の改善についてTCADシミュレーションにより調べた。