[21p-146-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [21p-146-12] スパッタ条件制御による-c/+c 極性反転AlN 構造の作製

〇林 侑介¹、上杉 謙次郎²、正直 花奈子³、三宅 秀人^1,3 (1.三重大院地域イノベ、2.三重大地域イノベ推進機構、3.三重大院工)

キーワード：AlN、スパッタ、アニール

スパッタ成膜したAlN を1700 °C のface to face アニール処理することにより、結晶配向のtwist 成分が大幅に改善されることが報告されている。本手法をウェハ接合に応用することで、積層方向に+c/-c 極性反転構造を作製する手法も開発された。今回、スパッタ条件の制御のみで-c/+c 極性反転構造を作製したので報告する。